随着全球AI与数据中心计算需求的暴增，服务器与数据中心内存技术正加速向高性能MRDIMM（多路复用双列直插式内存模块）标准迈进。内存制造厂商正全力提速产品路线图，推动DDR5 MRDIMM的传输速度跨越16，000 MT/s大关，向着该技术最终设定的17600 MT/s目标发起冲击。
与传统的RDIMM相比，MRDIMM能够提供成倍的带宽提升，因而备受服务器市场的追捧。此前，第一代MRDIMM已经成功落地，其传输速度突破了8000 MT/s大关，其中在其Xeon 6平台上率先提供了8800 MT/s级别的MRDIMM支持。
而第二代DDR5 MRDIMM技术的应用步伐则更为迅速。依托MRCD（多路复用寄存时钟驱动器）与MDB（多路复用数据缓冲器）技术，内存厂商Innodisk已在其产品线中推出了12800 MT/s规格的模块。在保持与现行DDR5插槽完全兼容及紧凑外观的前提下，2nd Gen MRDIMM相比于传统的DDR5-8000 RDIMM实现了高达60%的带宽提升，该系列产品涵盖了从32GB到128GB等多种容量规格，并支持ECC纠错与低电压运行。与此同时，美光（Micron）也展示了其2nd Gen MRDIMM方案，速度更是提升至14400 MT/s，较标准DDR5-8000 RDIMM实现了80%的带宽飞跃，其单条96GB模块在1.1V电压下运行，时序参数为CL58。
随着第二代产品全面进入量产阶段，产业链龙头企业已开始为第三代（Gen 3）MRDIMM的爆发做准备。知名半导体厂商瑞萨电子（Renesas）近期正式宣布推出第三代DDR5 MRDIMM芯片组方案（包含RRG5013x MRCD和RRG5103x MDB），将MRDIMM的传输速率一举提升至16000 MT/s。这相比第二代产品再次实现了高达25%的带宽增幅，能够极大地缓解人工智能数据中心、云基础设施以及加速计算工作负载带来的内存带宽瓶颈。
值得注意的是，作为开放式标准和下一代内存技术的坚定支持者，AMD将成为第三代MRDIMM芯片组的核心首发客户之一。AMD官方高管对此表示，MRDIMM形态与瑞萨芯片组的创新对于推动行业实现更高带宽、更高效率及扩展性至关重要。业内预计，在AMD计划于Zen 6架构平台中引入对DDR5-12800 MRDIMM支持后，未来的“Zen 7”架构（代号Florence）产品线将深度采用这一速度高达16000 MT/s的第三代内存模块。
根据瑞萨电子公布的时间表，目前Gen 3 MRDIMM套件已开始向部分特定客户送样，预计将于2027年下半年实现正式量产。在无需直接升级至下一代DDR6标准的情况下，MRDIMM凭借在原有DDR5架构基础上的显著性能与能效提升，正迅速成为下一代高性能计算（HPC）与人工智能领域的绝对主力。
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